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Numero parte	Descrizione	Disponibile
PN4302 Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET IC JFET TO-92 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92	Disponibile5.094
PN4302 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.370
PN4303 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 6V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.988
PN4303_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 6V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile6.318
PN4391 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.978
PN4391_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.226
PN4391_D27Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.338
PN4391_D75Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.532
PN4391 TRE Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92	Disponibile34.686
PN4392 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile6.804
PN4392_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.672
PN4392_D27Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.690
PN4392_D75Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.964
PN4393 ON Semiconductor	Transistor - JFET TRANSISTOR SWITCH N-CH SS TO-92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.366
PN4393_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile6.732
PN4393_D27Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.564
PN4393_D74Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile6.282
PN4393_D75Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile6.390
PN4393 TRA Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92	Disponibile3.636
PN4861 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 800mV @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile6.804
PN5432 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 5 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile6.048
PN5432_D27Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 5 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.924
PN5434 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 10 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.694
PN5434_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 10 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.834
PN5434_D27Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 10 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.652
SMMBF4391LT1G ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS) Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 225mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile6.978
SMMBF4393LT1G ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS) Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 225mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile2.153
SMMBFJ175LT1G ON Semiconductor	Transistor - JFET TRANS JFET P-CH 30V SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 125 Ohms Potenza - Max: 225mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile7.038
SMMBFJ177LT1G ON Semiconductor	Transistor - JFET TRANS JFET P-CH SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 800mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 300 Ohms Potenza - Max: 225mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile28.458
SST174-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 20MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 0V Resistenza - RDS (On): 85 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236	Disponibile55.275

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