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SMMBFJ177LT1G

SMMBFJ177LT1G

Solo per riferimento

Numero parte SMMBFJ177LT1G
PNEDA Part # SMMBFJ177LT1G
Descrizione TRANS JFET P-CH SOT23
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 28.458
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
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SMMBFJ177LT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSMMBFJ177LT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
SMMBFJ177LT1G, SMMBFJ177LT1G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 132,09 KB)
PDFMMBFJ177LT1 Datasheet Copertura
MMBFJ177LT1 Datasheet Pagina 2 MMBFJ177LT1 Datasheet Pagina 3 MMBFJ177LT1 Datasheet Pagina 4

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SMMBFJ177LT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETP-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)30V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)1.5mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id800mV @ 10nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds11pF @ 10V (VGS)
Resistenza - RDS (On)300 Ohms
Potenza - Max225mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23 (TO-236AB)

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

10mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2.5V @ 0.5nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

0.7pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

30mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

3-USFP

MPF4393G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 15V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

100 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

24mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

50 Ohms

Potenza - Max

190mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

50mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

300mV @ 100µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10.5pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

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