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PN4392

PN4392

Solo per riferimento

Numero parte PN4392
PNEDA Part # PN4392
Descrizione JFET N-CH 30V 625MW TO92
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.804
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 20 - dic 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PN4392 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePN4392
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
PN4392, PN4392 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 282,2 KB)
PDFPN4393_D75Z Datasheet Copertura
PN4393_D75Z Datasheet Pagina 2 PN4393_D75Z Datasheet Pagina 3 PN4393_D75Z Datasheet Pagina 4 PN4393_D75Z Datasheet Pagina 5 PN4393_D75Z Datasheet Pagina 6 PN4393_D75Z Datasheet Pagina 7

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PN4392 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)30V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)25mA @ 20V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id2V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds14pF @ 20V
Resistenza - RDS (On)60 Ohms
Potenza - Max625mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

24mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

JANTX2N4092UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

15mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 20V

Resistenza - RDS (On)

50 Ohms

Potenza - Max

360mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

4-SMD

FJN598JABU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

20V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100µA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2SK208-Y(TE85L,F)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

50V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

6.5mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

400mV @ 100nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8.2pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

S-Mini

2N4341

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

50V

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

3mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2V @ 100nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

325mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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