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Pagina 2157/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
TF256-4-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 30mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-1123 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-USFP	Disponibile6.714
TF256-5-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 240µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 30mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-1123 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-USFP	Disponibile4.626
TF256TH-3-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: VTFP	Disponibile5.976
TF256TH-4-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-VTFP	Disponibile2.826
TF256TH-5-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 240µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-VTFP	Disponibile7.380
TF262TH-4-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 200mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: VTFP	Disponibile18.857
TF262TH-5-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 200mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: VTFP	Disponibile7.272
TF408-2-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 10MA 30MW USFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 180mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 30mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-USFP	Disponibile8.460
TF408-3-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 10MA 30MW USFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 180mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 30mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-USFP	Disponibile6.120
TF408-3-TL-HX ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 10MA 30MW USFP Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.014
TF410-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 0.7pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 30mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-USFP	Disponibile6.102
TF410-TL-HX ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.730
TF412ST5G ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 180mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)	Disponibile126.060
TF414T5G ON Semiconductor	Transistor - JFET IC JFET N-CH 40V XDFN3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 0.7pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)	Disponibile378.096
TIS74 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 4nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 40 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.400
TIS74_J35Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 4nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 40 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.320
TIS75 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 800mV @ 4nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.776
TIS75_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 800mV @ 4nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.806
TIS75_D75Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 800mV @ 4nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.582
TIS75_J35Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 800mV @ 4nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.776
U1897 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.590
U1898 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.492
U1898_D27Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.956
U290 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 0V Resistenza - RDS (On): 3 Ohms Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AC (TO-52)	Disponibile7.380
U290-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 0V Resistenza - RDS (On): 3 Ohms Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AC (TO-52)	Disponibile7.956
U291 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.5V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 0V Resistenza - RDS (On): 7 Ohms Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AC (TO-52)	Disponibile28
U291-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.5V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 0V Resistenza - RDS (On): 7 Ohms Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AC (TO-52)	Disponibile6.174
U310-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET P-CH 25V TO-52 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2.5V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AC (TO-52)	Disponibile3.128
U430 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET P-CH 25V TO-78 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-78-6 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-78-6	Disponibile8.856
U430-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET DUAL P-CH 25V TO-78 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-78-6 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-78-6	Disponibile2.304

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