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Transistor

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Descrizione
Disponibile
Quantità
2N7002AQ-7
2N7002AQ-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET NCH 60V 180MA SOT23

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 370mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile7.236
2N7002 BK
2N7002 BK

Central Semiconductor Corp

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

  • Produttore: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): 40V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile8.964
2N7002BK,215
2N7002BK,215

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 370mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile7.384.524
2N7002BKM,315
2N7002BKM,315

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3
  • Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883
Disponibile240.486
2N7002BKMB,315
2N7002BKMB,315

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006B-3
  • Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN
Disponibile6.066
2N7002BKT,115

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 290mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 260mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-75
  • Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416
Disponibile3.312
2N7002BKVL
2N7002BKVL

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 370mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile186.414
2N7002BKW,115
2N7002BKW,115

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 275mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
Disponibile1.311.138
2N7002CK,215
2N7002CK,215

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile230.934
2N7002CKVL
2N7002CKVL

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile7.938
2N7002-D87Z
2N7002-D87Z

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile3.420
2N7002E
2N7002E

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile8.838
2N7002E
2N7002E

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 240mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile3.400
2N7002E,215
2N7002E,215

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.385A SOT23

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 385mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 830mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile6.714
2N7002-E3
2N7002-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile7.128
2N7002E-7-F
2N7002E-7-F

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 370mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile687.060
2N7002E-7-G
2N7002E-7-G

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V SOT23

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile4.572
2N7002E-T1-E3
2N7002E-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 240mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile1.087.758
2N7002ET1G
2N7002ET1G

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 300mW (Tj)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile2.350.362
2N7002E-T1-GE3
2N7002E-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 240mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile148.626
2N7002ET3G
2N7002ET3G

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 300mW (Tj)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile5.148
2N7002ET7G
2N7002ET7G

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

NFET SOT23 60V 115MA 7MO

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 300mW (Tj)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile5.724
2N7002F,215
2N7002F,215

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 475mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 830mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile4.140
2N7002-G
2N7002-G

Comchip Technology

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23

  • Produttore: Comchip Technology
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile6.336
2N7002-G
2N7002-G

Microchip Technology

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3

  • Produttore: Microchip Technology
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tj)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile49.440
2N7002H-13
2N7002H-13

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 370mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile6.534
2N7002H6327XTSA2
2N7002H6327XTSA2

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT23

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: OptiMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile169.362
2N7002H-7
2N7002H-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 370mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile49.008
2N7002-HF
2N7002-HF

Comchip Technology

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23

  • Produttore: Comchip Technology
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile4.842
2N7002K
2N7002K

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile741.414