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Transistor

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Disponibile
Quantità
VRF191
VRF191

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - RF

MOSFET RF N-CH 100V 150W T11

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: N-Channel
  • Frequenza: 30MHz
  • Guadagno: 22dB
  • Tensione - Test: 100V
  • Corrente nominale (Amp): 12A
  • Figura di rumore: -
  • Corrente - Test: 250mA
  • Potenza - Uscita: 150W
  • Tensione - Nominale: 270V
  • Pacchetto / Custodia: T11
  • Pacchetto dispositivo fornitore: T11
Disponibile2.232
VRF191MP
VRF191MP

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - RF

MOSFET RF N-CH 100V 150W T11

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: -
  • Frequenza: -
  • Guadagno: -
  • Tensione - Test: -
  • Corrente nominale (Amp): -
  • Figura di rumore: -
  • Corrente - Test: -
  • Potenza - Uscita: -
  • Tensione - Nominale: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile4.338
VRF2933
VRF2933

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - RF

MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: N-Channel
  • Frequenza: 150MHz
  • Guadagno: 25dB
  • Tensione - Test: 50V
  • Corrente nominale (Amp): 2mA
  • Figura di rumore: -
  • Corrente - Test: 250mA
  • Potenza - Uscita: 300W
  • Tensione - Nominale: 170V
  • Pacchetto / Custodia: M177
  • Pacchetto dispositivo fornitore: M177
Disponibile370
VRF2933FL
VRF2933FL

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - RF

MOSFET RF N-CH 170V 30MHZ T2

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: N-Channel
  • Frequenza: 30MHz
  • Guadagno: 22dB
  • Tensione - Test: 50V
  • Corrente nominale (Amp): 42A
  • Figura di rumore: -
  • Corrente - Test: 250mA
  • Potenza - Uscita: 300W
  • Tensione - Nominale: 170V
  • Pacchetto / Custodia: M177
  • Pacchetto dispositivo fornitore: M177
Disponibile8.136
VRF2933MP
VRF2933MP

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - RF

RF MOSFET N-CHANNEL 50V M177

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: N-Channel
  • Frequenza: 150MHz
  • Guadagno: 25dB
  • Tensione - Test: 50V
  • Corrente nominale (Amp): 2mA
  • Figura di rumore: -
  • Corrente - Test: 250mA
  • Potenza - Uscita: 300W
  • Tensione - Nominale: 170V
  • Pacchetto / Custodia: M177
  • Pacchetto dispositivo fornitore: M177
Disponibile5.184
VRF2944
VRF2944

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - RF

MOSF RF N CH 170V 50A M177

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: N-Channel
  • Frequenza: 30MHz
  • Guadagno: 22dB
  • Tensione - Test: 50V
  • Corrente nominale (Amp): 50A
  • Figura di rumore: -
  • Corrente - Test: 250mA
  • Potenza - Uscita: 400W
  • Tensione - Nominale: 170V
  • Pacchetto / Custodia: M177
  • Pacchetto dispositivo fornitore: M177
Disponibile3.024
VRF2944MP
VRF2944MP

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - RF

MOSFET RF N-CH 170V 50A M177

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: N-Channel
  • Frequenza: 30MHz
  • Guadagno: 25dB
  • Tensione - Test: 50V
  • Corrente nominale (Amp): 50A
  • Figura di rumore: -
  • Corrente - Test: 250mA
  • Potenza - Uscita: 400W
  • Tensione - Nominale: 170V
  • Pacchetto / Custodia: M177
  • Pacchetto dispositivo fornitore: M177
Disponibile8.244
VRF3933
VRF3933

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - RF

MOSF RF N CH 250V 20A M177

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: N-Channel
  • Frequenza: 30MHz
  • Guadagno: 22dB
  • Tensione - Test: 100V
  • Corrente nominale (Amp): 20A
  • Figura di rumore: -
  • Corrente - Test: 250mA
  • Potenza - Uscita: 300W
  • Tensione - Nominale: 250V
  • Pacchetto / Custodia: M177
  • Pacchetto dispositivo fornitore: M177
Disponibile5.706
VRF3933MP
VRF3933MP

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - RF

MOSFET RF N-CH 250V 20A M177

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: N-Channel
  • Frequenza: 30MHz
  • Guadagno: 28dB
  • Tensione - Test: 100V
  • Corrente nominale (Amp): 20A
  • Figura di rumore: -
  • Corrente - Test: 250mA
  • Potenza - Uscita: 350W
  • Tensione - Nominale: 250V
  • Pacchetto / Custodia: M177
  • Pacchetto dispositivo fornitore: M177
Disponibile4.428
XF1001-SC-0G00
XF1001-SC-0G00

M/A-Com Technology Solutions

Transistor - FET, MOSFET - RF

TRANS HFET 1W SOT89

  • Produttore: M/A-Com Technology Solutions
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: HFET
  • Frequenza: 6GHz
  • Guadagno: 15.5dB
  • Tensione - Test: 8V
  • Corrente nominale (Amp): 450mA
  • Figura di rumore: 4.5dB
  • Corrente - Test: 300mA
  • Potenza - Uscita: -
  • Tensione - Nominale: 9V
  • Pacchetto / Custodia: TO-243AA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89-3
Disponibile6.354
XF1001-SC-0G0T
XF1001-SC-0G0T

M/A-Com Technology Solutions

Transistor - FET, MOSFET - RF

TRANS HFET 1W SOT89

  • Produttore: M/A-Com Technology Solutions
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: HFET
  • Frequenza: 6GHz
  • Guadagno: 15.5dB
  • Tensione - Test: 8V
  • Corrente nominale (Amp): 450mA
  • Figura di rumore: 4.5dB
  • Corrente - Test: 300mA
  • Potenza - Uscita: -
  • Tensione - Nominale: 9V
  • Pacchetto / Custodia: TO-243AA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89-3
Disponibile3.598
1HN04CH-TL-W
1HN04CH-TL-W

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 140mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile3.276
1HP04CH-TL-W
1HP04CH-TL-W

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 80mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile24.228
2N6660
2N6660

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-205AD (TO-39)
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile5.688
2N6660
2N6660

Microchip Technology

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3

  • Produttore: Microchip Technology
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 410mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 24V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile6.516
2N6660-2
2N6660-2

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-205AD (TO-39)
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile7.380
2N6660-E3
2N6660-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-205AD (TO-39)
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile7.308
2N6660JTVP02
2N6660JTVP02

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-205AD (TO-39)
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile3.672
2N6660JTX02
2N6660JTX02

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-205AD (TO-39)
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile3.078
2N6660JTXL02
2N6660JTXL02

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-205AD (TO-39)
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile3.420
2N6660JTXP02
2N6660JTXP02

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-205AD (TO-39)
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile7.128
2N6660JTXV02
2N6660JTXV02

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-205AD (TO-39)
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile4.212
2N6661
2N6661

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 90V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile4.590
2N6661
2N6661

Microchip Technology

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39

  • Produttore: Microchip Technology
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 90V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 24V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile11.292
2N6661-2
2N6661-2

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 90V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile3.798
2N6661-E3
2N6661-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 90V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile3.258
2N6661JAN02
2N6661JAN02

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 90V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile5.364
2N6661JTVP02
2N6661JTVP02

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 90V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile6.534
2N6661JTX02
2N6661JTX02

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 90V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile4.770
2N6661JTXL02
2N6661JTXL02

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 90V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile3.042