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Transistor

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Disponibile
Quantità
2N6661JTXP02
2N6661JTXP02

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 90V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile7.128
2N6661JTXV02
2N6661JTXV02

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 90V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile3.420
2N6756
2N6756

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V TO-3

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 75W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-204AA
  • Pacchetto / Custodia: TO-204AA, TO-3
Disponibile3.508
2N6758
2N6758

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V TO-3

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 75W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-204AA
  • Pacchetto / Custodia: TO-204AA, TO-3
Disponibile4.734
2N6760
2N6760

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 400V TO-3

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 400V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 5.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 75W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-204AA
  • Pacchetto / Custodia: TO-204AA, TO-3
Disponibile8.784
2N6762
2N6762

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V TO-3

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 75W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-204AA
  • Pacchetto / Custodia: TO-204AA, TO-3
Disponibile8.676
2N6764
2N6764

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V TO-204AE TO-3

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 150W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-204AE
Disponibile2.862
2N6764T1
2N6764T1

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 150W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-204AE
Disponibile6.498
2N6766
2N6766

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 150W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-204AE
Disponibile4.608
2N6766T1
2N6766T1

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V TO-254AA

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 150W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-254AA
  • Pacchetto / Custodia: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Disponibile8.442
2N6768
2N6768

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 400V TO-204AE TO-3

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 400V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 150W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-204AE
Disponibile2.052
2N6768T1
2N6768T1

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 400V 14A TO-254AA

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 400V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 150W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-254AA
  • Pacchetto / Custodia: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Disponibile2.772
2N6770
2N6770

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V 12A TO-204AE

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 150W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-204AE
Disponibile2.052
2N6770T1
2N6770T1

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 150W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-254AA
  • Pacchetto / Custodia: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Disponibile2.178
2N6782
2N6782

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V TO-205AF

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta), 15W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AF Metal Can
Disponibile6.174
2N6782U
2N6782U

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 18LCC

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta), 15W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 18-ULCC (9.14x7.49)
  • Pacchetto / Custodia: 18-CLCC
Disponibile7.506
2N6784
2N6784

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V TO-205AF

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.25A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta), 15W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AF Metal Can
Disponibile8.442
2N6784U
2N6784U

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V 18LCC

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.25A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta), 15W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 18-ULCC (9.14x7.49)
  • Pacchetto / Custodia: 18-CLCC
Disponibile7.506
2N6788
2N6788

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V TO-205AF

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AF Metal Can
Disponibile7.650
2N6788U
2N6788U

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 18LCC

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 18-ULCC (9.14x7.49)
  • Pacchetto / Custodia: 18-CLCC
Disponibile7.200
2N6790
2N6790

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V TO-205AF

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AF Metal Can
Disponibile4.032
2N6790U
2N6790U

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V 18LCC

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 18-ULCC (9.14x7.49)
  • Pacchetto / Custodia: 18-CLCC
Disponibile2.142
2N6796
2N6796

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.34nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AF Metal Can
Disponibile6.228
2N6796U
2N6796U

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 18LCC

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.34nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 18-ULCC (9.14x7.49)
  • Pacchetto / Custodia: 18-CLCC
Disponibile3.150
2N6798
2N6798

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.29nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AF Metal Can
Disponibile7.218
2N6798U
2N6798U

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V 18LCC

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.29nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 18-ULCC (9.14x7.49)
  • Pacchetto / Custodia: 18-CLCC
Disponibile3.078
2N6800
2N6800

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 400V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.75nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AF Metal Can
Disponibile5.256
2N6800U
2N6800U

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 400V 18LCC

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 400V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.75nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 18-ULCC (9.14x7.49)
  • Pacchetto / Custodia: 18-CLCC
Disponibile3.870
2N6802
2N6802

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.46nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Disponibile7.866
2N6802U
2N6802U

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V 18LCC

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.46nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 18-ULCC (9.14x7.49)
  • Pacchetto / Custodia: 18-CLCC
Disponibile2.664