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Transistor

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2N6804
2N6804

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4W (Ta), 75W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-204AA (TO-3)
  • Pacchetto / Custodia: TO-204AA, TO-3
Disponibile2.556
2N6849
2N6849

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AF Metal Can
Disponibile3.173
2N6849U
2N6849U

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 100V 18-LCC

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 18-ULCC (9.14x7.49)
  • Pacchetto / Custodia: 18-CLCC
Disponibile6.192
2N6901
2N6901

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF

  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.69A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.07A, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 8.33W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39
  • Pacchetto / Custodia: TO-205AF Metal Can
Disponibile6.228
2N7000
2N7000

STMicroelectronics

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92

  • Produttore: STMicroelectronics
  • Serie: STripFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±18V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Disponibile3.888
2N7000
2N7000

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Disponibile602.118
2N7000,126

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 830mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Disponibile2.016
2N7000-AP
2N7000-AP

Micro Commercial Co

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANS NPN TO-92

  • Produttore: Micro Commercial Co
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 625mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Disponibile2.790
2N7000BU
2N7000BU

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Disponibile124.368
2N7000BU_T
2N7000BU_T

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V TO92

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Disponibile2.250
2N7000-D26Z
2N7000-D26Z

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Disponibile105.294
2N7000-D74Z
2N7000-D74Z

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Disponibile22.314
2N7000-D75Z
2N7000-D75Z

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Disponibile2.736
2N7000G
2N7000G

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Disponibile6.984
2N7000-G
2N7000-G

Microchip Technology

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3

  • Produttore: Microchip Technology
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tj)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Disponibile25.284
2N7000RLRA
2N7000RLRA

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Disponibile4.878
2N7000RLRAG
2N7000RLRAG

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Disponibile2.412
2N7000RLRMG
2N7000RLRMG

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Disponibile3.978
2N7000RLRPG
2N7000RLRPG

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Disponibile5.202
2N7000TA
2N7000TA

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Disponibile1.667.166
2N7002
2N7002

STMicroelectronics

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3

  • Produttore: STMicroelectronics
  • Serie: STripFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±18V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 350mW (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile6.660
2N7002
2N7002

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile11.507.610
2N7002,215
2N7002,215

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 830mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile5.246.706
2N7002,235
2N7002,235

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 830mW (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile4.860
2N7002-7
2N7002-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 370mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile2.142
2N7002-7-F
2N7002-7-F

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 370mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile37.169.532
2N7002-7-F-79
2N7002-7-F-79

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V SOT23-3

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile3.544
2N7002-7-G
2N7002-7-G

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V SOT23-3

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile5.814
2N7002A-7
2N7002A-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 0.18A SOT23

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 370mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile1.651.266
2N7002AQ-13
2N7002AQ-13

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET NCH 60V 180MA SOT23

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 370mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile2.970