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Transistor

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SI7234DP-T1-GE3
SI7234DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
  • Potenza - Max: 46W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile3.384
SI7236DP-T1-E3
SI7236DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 10V
  • Potenza - Max: 46W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile4.356
SI7236DP-T1-GE3
SI7236DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 10V
  • Potenza - Max: 46W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile29.232
SI7252DP-T1-GE3
SI7252DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
  • Potenza - Max: 46W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7270DP-T1-GE3
SI7270DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
  • Potenza - Max: 17.8W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile6.786
SI7272DP-T1-GE3
SI7272DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
  • Potenza - Max: 22W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile82.320
SI7288DP-T1-GE3
SI7288DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
  • Potenza - Max: 15.6W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile40.292
SI7501DN-T1-E3
SI7501DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A, 4.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.6W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile8.694
SI7501DN-T1-GE3
SI7501DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A, 4.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.6W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile7.884
SI7530DP-T1-E3
SI7530DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A, 3.2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.6A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.4W, 1.5W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile3.400
SI7540ADP-T1-GE3
SI7540ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH POWERPAK8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A, 9A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
  • Potenza - Max: 3.5W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile3.960
SI7540DP-T1-E3
SI7540DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A, 5.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.4W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile7.542
SI7540DP-T1-GE3
SI7540DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A, 5.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.4W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile8.784
SI7842DP-T1-E3
SI7842DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: LITTLE FOOT®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.4W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile8.532
SI7842DP-T1-GE3
SI7842DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: LITTLE FOOT®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.4W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile5.868
SI7844DP-T1-E3
SI7844DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.4W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile8.406
SI7844DP-T1-GE3
SI7844DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.4W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile2.826
SI7872DP-T1-E3
SI7872DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: LITTLE FOOT®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.4W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile4.518
SI7872DP-T1-GE3
SI7872DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: LITTLE FOOT®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.4W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual
Disponibile8.748
SI7900AEDN-T1-E3
SI7900AEDN-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.5W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile745.362
SI7900AEDN-T1-GE3
SI7900AEDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.5W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile3.384
SI7901EDN-T1-E3
SI7901EDN-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 800µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.3W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile7.236
SI7901EDN-T1-GE3
SI7901EDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 800µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.3W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile4.932
SI7904BDN-T1-E3
SI7904BDN-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
  • Potenza - Max: 17.8W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile3.582
SI7904BDN-T1-GE3
SI7904BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
  • Potenza - Max: 17.8W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile4.608
SI7904DN-T1-E3
SI7904DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.3W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile6.012
SI7904DN-T1-GE3
SI7904DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.3W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile2.250
SI7905DN-T1-E3
SI7905DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 20V
  • Potenza - Max: 20.8W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile5.238
SI7905DN-T1-GE3
SI7905DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 20V
  • Potenza - Max: 20.8W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile6.949
SI7909DN-T1-E3
SI7909DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 700µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.3W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile5.688