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Transistor

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SI6969BDQ-T1-GE3
SI6969BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 830mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile6.102
SI6969DQ-T1-E3
SI6969DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile3.582
SI6969DQ-T1-GE3
SI6969DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile3.906
SI6973DQ-T1-E3
SI6973DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 830mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile2.538
SI6973DQ-T1-GE3
SI6973DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 830mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile7.686
SI6975DQ-T1-E3
SI6975DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 5mA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 830mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile4.590
SI6975DQ-T1-GE3
SI6975DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 5mA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 830mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile5.742
SI6981DQ-T1-E3
SI6981DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.8A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 300µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 830mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile2.718
SI6981DQ-T1-GE3
SI6981DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.8A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 300µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 830mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile4.392
SI6983DQ-T1-E3
SI6983DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 830mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile3.436
SI6983DQ-T1-GE3
SI6983DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 830mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile3.870
SI6993DQ-T1-E3
SI6993DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 830mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile4.554
SI6993DQ-T1-GE3
SI6993DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 830mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile6.138
SI7212DN-T1-E3
SI7212DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.9A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.3W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile6.930
SI7212DN-T1-GE3
SI7212DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.9A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.3W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile7.578
SI7214DN-T1-E3
SI7214DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.3W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile5.328
SI7214DN-T1-GE3
SI7214DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.3W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile2.160
SI7216DN-T1-E3
SI7216DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
  • Potenza - Max: 20.8W
  • Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile26.406
SI7216DN-T1-GE3
SI7216DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
  • Potenza - Max: 20.8W
  • Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile3.204
SI7218DN-T1-E3
SI7218DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 15V
  • Potenza - Max: 23W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile2.844
SI7218DN-T1-GE3
SI7218DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 15V
  • Potenza - Max: 23W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile3.978
SI7220DN-T1-E3
SI7220DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.3W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile85.644
SI7220DN-T1-GE3
SI7220DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.3W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile10.957
SI7222DN-T1-E3
SI7222DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 20V
  • Potenza - Max: 17.8W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile6.786
SI7222DN-T1-GE3
SI7222DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 20V
  • Potenza - Max: 17.8W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile7.866
SI7223DN-T1-GE3
SI7223DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET® Gen III
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
  • Potenza - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile5.544
SI7224DN-T1-E3
SI7224DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
  • Potenza - Max: 17.8W, 23W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile2.100
SI7224DN-T1-GE3
SI7224DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
  • Potenza - Max: 17.8W, 23W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile8.892
SI7228DN-T1-GE3
SI7228DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 15V
  • Potenza - Max: 23W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile5.118
SI7232DN-T1-GE3
SI7232DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
  • Potenza - Max: 23W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual
Disponibile59.883