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SI6969DQ-T1-E3

SI6969DQ-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI6969DQ-T1-E3
PNEDA Part # SI6969DQ-T1-E3
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.582
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI6969DQ-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI6969DQ-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI6969DQ-T1-E3, SI6969DQ-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 103,93 KB)
PDFSI6969DQ-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI6969DQ-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI6969DQ-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI6969DQ-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI6969DQ-T1-GE3 Datasheet Pagina 5

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  • SI6969DQ-T1-E3 Distributor

SI6969DQ-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)

Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

83mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

IRFH7911TR2PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 15V

Potenza - Max

2.4W, 3.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

18-PowerVQFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PQFN (5x6)

ZXMHC10A07T8TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A, 800mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

138pF @ 60V

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-223-8

Pacchetto dispositivo fornitore

SM8

TSM3911DCX6 RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.23nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

882.51pF @ 6V

Potenza - Max

1.15W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

IRF7325

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

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