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SI7236DP-T1-GE3

SI7236DP-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI7236DP-T1-GE3
PNEDA Part # SI7236DP-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 29.232
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 3 - dic 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI7236DP-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI7236DP-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI7236DP-T1-GE3, SI7236DP-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 383,3 KB)
PDFSI7236DP-T1-E3 Datasheet Copertura
SI7236DP-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI7236DP-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI7236DP-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI7236DP-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI7236DP-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI7236DP-T1-E3 Datasheet Pagina 7 SI7236DP-T1-E3 Datasheet Pagina 8 SI7236DP-T1-E3 Datasheet Pagina 9 SI7236DP-T1-E3 Datasheet Pagina 10 SI7236DP-T1-E3 Datasheet Pagina 11

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SI7236DP-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs105nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4000pF @ 10V
Potenza - Max46W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® SO-8 Dual

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

697pF @ 15V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

950mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1.6µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.32nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

63pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

STS4C3F60L

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1030pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Advanced Linear Devices Inc.

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

810mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

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