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SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI7904BDN-T1-E3
PNEDA Part # SI7904BDN-T1-E3
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.582
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI7904BDN-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI7904BDN-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI7904BDN-T1-E3, SI7904BDN-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 551,33 KB)
PDFSI7904BDN-T1-E3 Datasheet Copertura
SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 7 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 8 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 9 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 10 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 11

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  • SI7904BDN-T1-E3 Distributor

SI7904BDN-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds860pF @ 10V
Potenza - Max17.8W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® 1212-8 Dual

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 15V

Potenza - Max

26W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

54.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.4mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1986pF @ 50V

Potenza - Max

2.2W (Ta), 78W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI5060-8

IRLHS6376TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

63mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 25V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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