Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
GWM160-0055X1-SLSAM IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 17-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS-DIL™	Disponibile5.490
GWM160-0055X1-SMD IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 17-SMD, Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS-DIL™	Disponibile8.604
GWM160-0055X1-SMDSAM IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 17-SMD, Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS-DIL™	Disponibile8.820
GWM180-004X2-SL IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 17-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS-DIL™	Disponibile5.922
GWM180-004X2-SLSAM IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 17-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS-DIL™	Disponibile4.734
GWM180-004X2-SMD IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 17-SMD, Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS-DIL™	Disponibile3.816
GWM180-004X2-SMDSAM IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 17-SMD, Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS-DIL™	Disponibile5.886
GWM220-004P3-SL IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 17-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS-DIL™	Disponibile3.402
GWM220-004P3-SL SAM IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 17-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS-DIL™	Disponibile2.340
GWM220-004P3-SMD IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 17-SMD, Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS-DIL™	Disponibile2.412
GWM220-004P3-SMD SAM IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 17-SMD, Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS-DIL™	Disponibile5.238
GWM70-01P2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: ISOPLUS-DIL™ Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS-DIL™	Disponibile7.344
GWS4621L Renesas Electronics America Inc.	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH Produttore: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1125pF @ 10V Potenza - Max: 3.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-XFLGA, CSP Pacchetto dispositivo fornitore: 4-WLCSP (1.82x1.82)	Disponibile7.254
GWS9293 Renesas Electronics America Inc.	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 20V 9.4A 4QFN Produttore: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V Potenza - Max: 3.6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-VDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 4-QFN (2x2)	Disponibile2.502
GWS9294 Renesas Electronics America Inc.	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN Produttore: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Potenza - Max: 3.6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-VDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 4-QFN (2x2)	Disponibile3.454
HAT1126RWS-E Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET P-CH SOP8 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 10V Potenza - Max: 3W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile4.464
HAT2038R-EL-E Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Potenza - Max: 3W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile3.708
HAT2038RWS-E Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH SOP8 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 4V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Potenza - Max: 3W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile3.132
HAT2092R-EL-E Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Potenza - Max: 3W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile2.070
HAT2210RWS-E Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-PAK 8SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V Potenza - Max: 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile3.600
HCT802 TT Electronics/Optek Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD Produttore: TT Electronics/Optek Technology Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 90V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A, 1.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 6-SMD	Disponibile7.488
HCT802TX TT Electronics/Optek Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD Produttore: TT Electronics/Optek Technology Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 90V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A, 1.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 6-SMD	Disponibile7.506
HCT802TXV TT Electronics/Optek Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD Produttore: TT Electronics/Optek Technology Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 90V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A, 1.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 6-SMD	Disponibile8.622
HP8K22TB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A, 57A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V Potenza - Max: 25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSOP	Disponibile41.502
HP8K24TB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC, 36nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF, 2410pF @ 15V Potenza - Max: 3W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSOP	Disponibile25.728
HP8KA1TB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V Potenza - Max: 3W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSOP	Disponibile4.482
HP8M31TB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC, 38nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF, 2300pF @ 30V Potenza - Max: 3W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSOP	Disponibile3.564
HP8M51TB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC, 26.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V Potenza - Max: 3W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSOP	Disponibile7.884
HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC, 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF, 1250pF @ 15V Potenza - Max: 3W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSOP	Disponibile24.906
HP8S36TB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A, 80A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V Potenza - Max: 29W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSOP	Disponibile4.428

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