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GWM180-004X2-SL

GWM180-004X2-SL

Solo per riferimento

Numero parte GWM180-004X2-SL
PNEDA Part # GWM180-004X2-SL
Descrizione MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.922
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GWM180-004X2-SL Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGWM180-004X2-SL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
GWM180-004X2-SL, GWM180-004X2-SL Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 713,55 KB)
PDFGWM180-004X2-SMD Datasheet Copertura
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GWM180-004X2-SL Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia17-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS-DIL™

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 15V

Potenza - Max

2.9W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

NTQD4154ZR2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1485pF @ 16V

Potenza - Max

1.52W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

27A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 7A , 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 15V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.3mOhm @ 8A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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