DMG6898LSDQ-13
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| Numero parte | DMG6898LSDQ-13 |
| PNEDA Part # | DMG6898LSDQ-13 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 25.644 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMG6898LSDQ-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMG6898LSDQ-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
DMG6898LSDQ-13, DMG6898LSDQ-13 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 335,92 KB)
  
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DMG6898LSDQ-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1149pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.28W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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Produttore WeEn Semiconductors Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 99A Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V Potenza - Max 781W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2020pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11.5A (Ta), 46A (Tc), 17A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 11.5A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA, 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V, 38nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 15V, 5260pF @ 15V Potenza - Max 1.9W (Ta), 31W (Tc), 2.1W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-EP (5x6) |
