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AON6908ALS_101

AON6908ALS_101

Solo per riferimento

Numero parte AON6908ALS_101
PNEDA Part # AON6908ALS_101
Descrizione MOSFET N-CH
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.312
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AON6908ALS_101 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAON6908ALS_101
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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AON6908ALS_101 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11.5A (Ta), 46A (Tc), 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.9mOhm @ 11.5A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA, 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V, 38nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1110pF @ 15V, 5260pF @ 15V
Potenza - Max1.9W (Ta), 31W (Tc), 2.1W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN-EP (5x6)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

6-EFCP (1.9x1.46)

APTM08TAM04PG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4530pF @ 25V

Potenza - Max

138W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 110µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

419pF @ 10V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSDSON-8

IRF7755TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

FDR8305N

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V

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