Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRF5852TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Potenza - Max: 960mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile7.974
IRF6150 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 16-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 16-FlipFet™	Disponibile6.840
IRF6156 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-FlipFet™ Pacchetto dispositivo fornitore: 6-FlipFet™	Disponibile7.002
IRF6702M2DTR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V Potenza - Max: 2.7W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MA Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MA	Disponibile5.166
IRF6702M2DTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V Potenza - Max: 2.7W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MA Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MA	Disponibile3.942
IRF6723M2DTR1P Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V Potenza - Max: 2.7W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MA Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MA	Disponibile3.492
IRF6723M2DTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V Potenza - Max: 2.7W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MA Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MA	Disponibile8.478
IRF6802SDTR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 16A SA Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V Potenza - Max: 1.7W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric SA Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ SA	Disponibile5.022
IRF6802SDTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 16A SA Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V Potenza - Max: 1.7W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric SA Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ SA	Disponibile2.772
IRF7101PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.470
IRF7101TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile35.256
IRF7102 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.578
IRF7103PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.400
IRF7103Q Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Potenza - Max: 2.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile10.656
IRF7103QTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Potenza - Max: 2.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.732
IRF7103TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile570.672
IRF7104PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6
IRF7104TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.196
IRF7105PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.104
IRF7105QTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.626
IRF7105TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile35.652
IRF7106 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.642
IRF7301PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.776
IRF7301TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.200
IRF7303PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.236
IRF7303QTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.268
IRF7303TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile29.412
IRF7304 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile250.962
IRF7304PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.416
IRF7304QTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.010

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