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IRF6702M2DTRPBF

IRF6702M2DTRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF6702M2DTRPBF
PNEDA Part # IRF6702M2DTRPBF
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.942
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF6702M2DTRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF6702M2DTRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF6702M2DTRPBF, IRF6702M2DTRPBF Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 268,69 KB)
PDFIRF6702M2DTRPBF Datasheet Copertura
IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 2 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 3 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 4 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 5 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 6 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 7 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 8 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 9 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 10

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IRF6702M2DTRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1380pF @ 15V
Potenza - Max2.7W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDirectFET™ Isometric MA
Pacchetto dispositivo fornitoreDIRECTFET™ MA

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

324pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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-

Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 12A, 10V, 37mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 4.5V, 11.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 15V, 1100pF @ 15V

Potenza - Max

25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

118A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A, 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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70pF @ 10V

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