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HAT2092R-EL-E

HAT2092R-EL-E

Solo per riferimento

Numero parte HAT2092R-EL-E
PNEDA Part # HAT2092R-EL-E
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.070
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HAT2092R-EL-E Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHAT2092R-EL-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
HAT2092R-EL-E, HAT2092R-EL-E Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 98,98 KB)
PDFHAT2092R-EL-E Datasheet Copertura
HAT2092R-EL-E Datasheet Pagina 2 HAT2092R-EL-E Datasheet Pagina 3 HAT2092R-EL-E Datasheet Pagina 4 HAT2092R-EL-E Datasheet Pagina 5 HAT2092R-EL-E Datasheet Pagina 6 HAT2092R-EL-E Datasheet Pagina 7 HAT2092R-EL-E Datasheet Pagina 8 HAT2092R-EL-E Datasheet Pagina 9 HAT2092R-EL-E Datasheet Pagina 10

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HAT2092R-EL-E Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 10V
Potenza - Max3W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12.2pF @ 3V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6

UPA2381T1P-E1-A#YW

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

STL8DN10LF3

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

970pF @ 25V

Potenza - Max

70W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerFlat™ (5x6)

ZXMC3A16DN8TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.9A, 4.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

796pF @ 25V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.5mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 16V

Potenza - Max

4.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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