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Transistor

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Descrizione
Disponibile
Quantità
FJY3015R
FJY3015R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN SOT-523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 250MHz
  • Potenza - Max: -
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile6.480
FJY4001R
FJY4001R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 200MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile8.910
FJY4002R
FJY4002R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 200MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile3.436
FJY4003R
FJY4003R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 250MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile4.122
FJY4004R
FJY4004R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 200MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile3.762
FJY4005R
FJY4005R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 200MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile2.286
FJY4006R
FJY4006R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 200MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile3.528
FJY4007R
FJY4007R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 200MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile4.194
FJY4008R
FJY4008R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 200MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile3.726
FJY4009R
FJY4009R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 200MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile3.400
FJY4010R
FJY4010R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 200MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile3.834
FJY4011R
FJY4011R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 200MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile4.212
FJY4012R
FJY4012R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 200MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile8.316
FJY4013R
FJY4013R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 200MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile5.274
FJY4014R
FJY4014R

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Frequenza - Transizione: 200MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523F
Disponibile5.526
FN4L4M-T1B-A
FN4L4M-T1B-A

Renesas Electronics America

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

PROGRAM ADAPTER

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: *
  • Tipo di transistor: -
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): -
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): -
  • Resistenza - Base (R1): -
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: -
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: -
  • Corrente - Taglio collettore (Max): -
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile5.796
MMUN2111LT1
MMUN2111LT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile5.760
MMUN2111LT1G
MMUN2111LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile1.122.390
MMUN2111LT3G
MMUN2111LT3G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile190.566
MMUN2112LT1
MMUN2112LT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile6.030
MMUN2112LT1G
MMUN2112LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile87.450
MMUN2113LT1
MMUN2113LT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile4.860
MMUN2113LT1G
MMUN2113LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile267.006
MMUN2113LT3
MMUN2113LT3

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile2.214
MMUN2113LT3G
MMUN2113LT3G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile99.528
MMUN2114LT1
MMUN2114LT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile6.948
MMUN2114LT1G
MMUN2114LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile5.544
MMUN2114LT3G
MMUN2114LT3G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile7.254
MMUN2115LT1G
MMUN2115LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 400mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile151.446
MMUN2116LT1G
MMUN2116LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile55.218