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Transistor

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Descrizione
Disponibile
Quantità
MUN2134T1G
MUN2134T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile4.212
MUN2135T1G
MUN2135T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59-3
Disponibile4.266
MUN2136T1
MUN2136T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 100 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 100 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile2.898
MUN2136T1G
MUN2136T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 100 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 100 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile2.952
MUN2137T1
MUN2137T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile5.130
MUN2137T1G
MUN2137T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile6.426
MUN2138T1G
MUN2138T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59-3
Disponibile3.438
MUN2140T1G
MUN2140T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 0.23W SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile3.726
MUN2141T1G
MUN2141T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 100 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59-3
Disponibile8.910
MUN2211JT1
MUN2211JT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile4.590
MUN2211JT1G
MUN2211JT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile8.136
MUN2211T1G
MUN2211T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile226.854
MUN2211T3
MUN2211T3

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 338mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile2.016
MUN2211T3G
MUN2211T3G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile8.514
MUN2212T1
MUN2212T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 338mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile2.790
MUN2212T1G
MUN2212T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 338mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile42.786
MUN2213JT1
MUN2213JT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 338mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile2.862
MUN2213JT1G
MUN2213JT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 338mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile6.804
MUN2213T1G
MUN2213T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 338mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile79.614
MUN2214T1
MUN2214T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 338mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile6.678
MUN2214T1G
MUN2214T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile110.532
MUN2214T3G
MUN2214T3G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile2.286
MUN2215T1G
MUN2215T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 338mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile81.750
MUN2216T1G
MUN2216T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 338mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile146.550
MUN2230T1G
MUN2230T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 1 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 1 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 338mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile5.094
MUN2231T1
MUN2231T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 338mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile3.562
MUN2231T1G
MUN2231T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 338mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile5.994
MUN2232T1G
MUN2232T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 338mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile92.142
MUN2233T1
MUN2233T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 338mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile7.272
MUN2233T1G
MUN2233T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
Disponibile140.412