Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

Transistor

Record 64.903
Pagina 674/2164
Immagine
Numero parte
Descrizione
Disponibile
Quantità
MMUN2130LT1
MMUN2130LT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 1 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 1 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile4.644
MMUN2130LT1G
MMUN2130LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 1 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 1 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile6.876
MMUN2131LT1G
MMUN2131LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile6.120
MMUN2132LT1G
MMUN2132LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile58.314
MMUN2133LT1G
MMUN2133LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile243.612
MMUN2134LT1
MMUN2134LT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile8.478
MMUN2134LT1G
MMUN2134LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile98.760
MMUN2135LT1G
MMUN2135LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)
Disponibile72.702
MMUN2136LT1G
MMUN2136LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 100 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 100 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)
Disponibile4.590
MMUN2137LT1G
MMUN2137LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)
Disponibile145.692
MMUN2138LT1G
MMUN2138LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)
Disponibile668.088
MMUN2140LT1G
MMUN2140LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)
Disponibile7.776
MMUN2141LT1G
MMUN2141LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 100 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)
Disponibile2.898
MMUN2211LT1
MMUN2211LT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile4.158
MMUN2211LT1G
MMUN2211LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile1.855.290
MMUN2211LT3
MMUN2211LT3

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile8.910
MMUN2211LT3G
MMUN2211LT3G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile300.948
MMUN2212LT1
MMUN2212LT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile7.974
MMUN2212LT1G
MMUN2212LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile273.576
MMUN2213LT1
MMUN2213LT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile3.582
MMUN2213LT1G
MMUN2213LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile4.338
MMUN2214LT1G
MMUN2214LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile1.146.444
MMUN2215LT1
MMUN2215LT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile4.662
MMUN2215LT1G
MMUN2215LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 400mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile2.718
MMUN2216LT1
MMUN2216LT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile26.518
MMUN2216LT1G
MMUN2216LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 400mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile115.830
MMUN2217LT1G
MMUN2217LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile653.526
MMUN2230LT1
MMUN2230LT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 1 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 1 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile5.598
MMUN2230LT1G
MMUN2230LT1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 1 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 1 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile4.734
MMUN2231LT1
MMUN2231LT1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 246mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Disponibile8.460