Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FJNS4206RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile3.096
FJNS4206RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile5.760
FJNS4207RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile8.370
FJNS4207RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile6.408
FJNS4208RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile8.028
FJNS4208RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile8.946
FJNS4209RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile5.436
FJNS4209RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile8.604
FJNS4210RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile2.466
FJNS4210RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile6.426
FJNS4211RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile2.862
FJNS4211RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile8.262
FJNS4212RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile4.158
FJNS4212RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile2.916
FJNS4213RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile4.842
FJNS4213RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile4.662
FJNS4214RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile7.182
FJNS4214RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile4.086
FJV3101RMTF ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile99.024
FJV3102RMTF ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile6.012
FJV3103RMTF ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile3.580
FJV3104RMTF ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile3.960
FJV3105RMTF ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile2.898
FJV3106RMTF ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile5.850
FJV3107RMTF ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile2.538
FJV3108RMTF ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile4.788
FJV3109RMTF ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile4.680
FJV3110RMTF ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile84.720
FJV3111RMTF ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile3.222
FJV3112RMTF ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile5.814

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