FJV3110RMTF
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| Numero parte | FJV3110RMTF |
| PNEDA Part # | FJV3110RMTF |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 84.720 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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FJV3110RMTF Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FJV3110RMTF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
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FJV3110RMTF Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 40V |
| Resistenza - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 250MHz |
| Potenza - Max | 200mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 140MHz Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSFP-3 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione - Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 12V Resistenza - Base (R1) 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 260MHz Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore EMT3 |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 800mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 1 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione - Potenza - Max 500mW Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 1 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 200MHz Potenza - Max 200mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SMT3 |
