Transistor

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Record 64.903

Pagina 2154/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
PMBF4393,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile1.352
PMBFJ108,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 10V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 8 Ohms Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile1
PMBFJ109,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 6V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 12 Ohms Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile1
PMBFJ110,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 18 Ohms Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile49.990
PMBFJ111,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 10V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile48.074
PMBFJ112,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile2
PMBFJ113,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile18
PMBFJ174,215 NXP	Transistor - JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 85 Ohms Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile85.079
PMBFJ175,215 NXP	Transistor - JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 125 Ohms Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile1
PMBFJ176,215 NXP	Transistor - JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 250 Ohms Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile109
PMBFJ177,215 NXP	Transistor - JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 800mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 300 Ohms Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile119.293
PMBFJ308,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile13.062
PMBFJ309,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile9.592
PMBFJ310,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile2.058
PMBFJ620,115 NXP	Transistor - JFET JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 190mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSSOP	Disponibile12.304
PN4091 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.400
PN4091_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile6.642
PN4092 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.484
PN4092_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.688
PN4092_D27Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.916
PN4092_D74Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.582
PN4092_J18Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.016
PN4093 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 80 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.268
PN4117 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.388
PN4117A ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.896
PN4117A_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.110
PN4117A_J61Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.024
PN4117_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.814
PN4118 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.074
PN4119 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.526

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