PMBFJ113,215
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| Numero parte | PMBFJ113,215 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | PMBFJ113-215 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 | ||||||||||||||||||
| Produttore | NXP | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 18 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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PMBFJ113 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | PMBFJ113,215 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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PMBFJ113 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 40V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 3V @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 10V (VGS) |
| Resistenza - RDS (On) | 100 Ohms |
| Potenza - Max | 300mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 (TO-236AB) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 800mV @ 4nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On) 60 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
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