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Record 64.903

Pagina 2152/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MPF4392 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 15V (VGS) Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.150
MPF4392G ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 15V (VGS) Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.302
MPF4393 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 15V (VGS) Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.382
MPF4393G ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 15V (VGS) Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.208
MPF4393RLRPG ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO-92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 15V (VGS) Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.568
MV2N4092 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/431 Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18 (TO-206AA)	Disponibile4.680
MV2N4391 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.128
MV2N4391UB Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.528
MV2N4392 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.696
MV2N4392UB Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.958
MV2N4393 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.358
MV2N4393UB Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.578
MV2N4856 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 10V @ 500pA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 25 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18 (TO-206AA)	Disponibile8.064
MV2N4856UB Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.934
MV2N4857 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 6V @ 500pA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 40 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18 (TO-206AA)	Disponibile8.424
MV2N4857UB Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.256
MV2N4858 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18 (TO-206AA)	Disponibile3.870
MV2N4858UB Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.248
MV2N4859 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 10V @ 500pA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 25 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18 (TO-206AA)	Disponibile4.788
MV2N4859UB Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.074
MV2N4860 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 6V @ 500pA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 40 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile5.616
MV2N4860UB Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.832
MV2N4861 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18 (TO-206AA)	Disponibile7.758
MV2N5114 Microsemi	Transistor - JFET P CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500 Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90mA @ 18V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 10V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Resistenza - RDS (On): 75 Ohms Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18 (TO-206AA)	Disponibile8.964
MV2N5116 Microsemi	Transistor - JFET P CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500 Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 6V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18 (TO-206AA)	Disponibile4.014
MX2N4391 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.750
MX2N4391UB Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.214
MX2N4392 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.004
MX2N4392UB Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.580
MX2N4393 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.852

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