Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 2149/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
J202_D74Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 800mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.618
J203-18 Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH TO-92 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.246
J270 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.520
J270_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.812
J270_D27Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.034
J271 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.5V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.304
J2A012YXS/T1AY403, NXP	Transistor - JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.068
J2A020YXS/T0BY425, NXP	Transistor - JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.478
J2A040YXS/T0BY424, NXP	Transistor - JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.268
J2A080GX0/T0BG295, NXP	Transistor - JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.100
J3A012YXS/T0BY4551 NXP	Transistor - JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.906
J3A040YXS/T0BY4571 NXP	Transistor - JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.030
J3A080YXS/T0BY4AG0 NXP	Transistor - JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.326
JANTX2N4091 Microsemi	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 360MW TO-18 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile7.812
JANTX2N4092 Microsemi	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 360MW TO-18 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile143
JANTX2N4092UB Microsemi	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.36W SMD Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 4-SMD	Disponibile6.756
JANTX2N4093UB Microsemi	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.36W SMD Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 80 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: UB	Disponibile218
JANTX2N4416AUB Microsemi	Transistor - JFET JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 35V Tensione Drain to Source (Vdss): 35V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 6V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 4-SMD	Disponibile4.554
JANTX2N4857 Microsemi	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 360MW TO-18 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 6V @ 500pA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 40 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile5.562
JANTX2N4859 Microsemi	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 360MW TO-18 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 10V @ 500pA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 25 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile15.714
JFTJ105 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 1W SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4.5V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 3 Ohms Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223-4	Disponibile6.282
KSK30OBU ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 50V 0.1W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 50V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 400mV @ 100nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 0V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.662
KSK30RBU ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 50V 0.1W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 50V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 400mV @ 100nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 0V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.708
KSK30YBU ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 50V 0.1W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 50V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 400mV @ 100nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 0V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.304
KSK30YTA ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 50V 0.1W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 50V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 400mV @ 100nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 0V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.182
KSK595HMTF ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile2.178
KSK596ABU ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile2.844
KSK596BBU ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile3.418
KSK596BU ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile4.986
KSK596CBU ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile6.516

«
‹
1
...
2146
2147
2148
2149 (current)
2150
2151
2152
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message