JANTX2N4093UB
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| Numero parte | JANTX2N4093UB | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | JANTX2N4093UB | ||||||||||||||||||
| Descrizione | JFET N-CH 40V 0.36W SMD | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 218 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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JANTX2N4093UB Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | JANTX2N4093UB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
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JANTX2N4093UB Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 40V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 8mA @ 20V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 20V |
| Resistenza - RDS (On) | 80 Ohms |
| Potenza - Max | 360mW |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 3-SMD, No Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | UB |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 25mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On) 60 Ohms Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 35V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 3V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) 30 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 500mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) 18 Ohms Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 80µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3pF @ 10V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AF (TO-72) |
