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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FJX597JBTF ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70 (SOT323)	Disponibile83.298
FJX597JCTF ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70 (SOT323)	Disponibile59.355
FJX597JHTF ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70 (SOT323)	Disponibile69.018
FJZ594JBTF ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-623F Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-623F	Disponibile35.683
FJZ594JCTF ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-623F Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-623F	Disponibile34.934
FJZ594JTF ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-623F Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-623F	Disponibile6.480
IJW120R070T1FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - JFET JFET N-CHAN 35A TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 3.3µA @ 1200V Corrente assorbita (Id) - Max: 35A Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 19.5V (VGS) Resistenza - RDS (On): 70 mOhms Potenza - Max: 238W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3	Disponibile8.154
IJW120R100T1FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - JFET JFET N-CHAN 26A TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5µA @ 1200V Corrente assorbita (Id) - Max: 26A Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 19.5V (VGS) Resistenza - RDS (On): 100 mOhms Potenza - Max: 190W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3	Disponibile4.950
J105 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4.5V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 3 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.230
J105_D27Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4.5V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 3 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.706
J105_D74Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4.5V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 3 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.158
J106 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 6 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.889
J106_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 6 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile6.300
J107 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 8 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.644
J107_D75Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 8 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.848
J108 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 8 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.070
J108,126 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 0.4W SOT54 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 10V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 0V Resistenza - RDS (On): 8 Ohms Potenza - Max: 400mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.038
J108_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 8 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.362
J108_D27Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 8 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile6.066
J108_D74Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 8 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.988
J109 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 12 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile309.197
J109,126 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 0.4W SOT54 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 12 Ohms Potenza - Max: 400mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.550
J109-D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 12 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.718
J109_D27Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 12 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.010
J109_D74Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 12 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.454
J109_D75Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 12 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.284
J110 Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH TO-92 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92	Disponibile2.736
J110 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 0.31W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 18 Ohms Potenza - Max: 310mW Temperatura di esercizio: 135°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.904
J110,126 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 0.4W SOT54 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 0V Resistenza - RDS (On): 18 Ohms Potenza - Max: 400mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.070
J110_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 18 Ohms Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile6.246

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