J109_D75Z
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Numero parte | J109_D75Z |
PNEDA Part # | J109_D75Z |
Descrizione | JFET N-CH 25V 625MW TO92 |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.284 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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J109_D75Z Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module |
![]() |
Mfr. Numero di parte | J109_D75Z |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
Datasheet |
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J109_D75Z Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 25V |
Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 40mA @ 15V |
Corrente assorbita (Id) - Max | - |
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 2V @ 10nA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Resistenza - RDS (On) | 12 Ohms |
Potenza - Max | 625mW |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 35V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2.5V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 15V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AF (TO-72) |