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Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
BSR58LT1G ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 350MW SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 800mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile4.680
BSV79 Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET IC FET N-CH TO-18 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 40 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile4.212
BSV80 Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET IC FET N-CH TO-18 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile4.446
CMPF4391 TR Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 50MA SOT23 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile5.940
CMPF4392 TR Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 50MA SOT23 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile7.650
CMPF4393 TR Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 50MA SOT23 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile4.018
CMPF4416A TR Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH 35V 10MA SOT23 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 35V Tensione Drain to Source (Vdss): 35V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2.5V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile30.532
CMPF5485 TR Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 10MA SOT23 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: 30mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile7.794
CMPFJ175 TR Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET IC JFET P-CH SOT23-3 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 125 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile5.363
CMPFJ176 TR Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET IC JFET P-CH SOT23-3 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 250 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile7.452
CMPFJ310 BK Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET IC JFET P-CH SOT23-3 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile3.294
CMPFJ310 TR Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET IC JFET P-CH SOT23-3 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile4.212
CP206-2N4393-CT Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH SW/CHOPPER CHIP 1=400 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile3.474
CP206-2N4393-CT20 Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 1=20PCS Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile5.580
CP210-2N4416-CT Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH AMP CHIP FORM 1=400 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 6V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile5.166
CP210-2N4416-CT20 Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET TRANS JFET NCH 1=20PCS Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 6V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile3.690
CP548-2N5116-CT Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET P-CH 30V 50MA Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.852
CPH3910-TL-E ON Semiconductor	Transistor - JFET MOSFET N-CH 25V .04A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 50mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.8V @ 100µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 400mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH	Disponibile127.476
CPH6904-TL-E ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET 2N-CH 0.7W CPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 50mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 100µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-CPH	Disponibile2.322
DSK5J01P0L Panasonic Electronic Components	Transistor - JFET JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 30mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 10µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-85 Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-F2-B	Disponibile28.668
DSK5J01Q0L Panasonic Electronic Components	Transistor - JFET JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 30mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 10µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-85 Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-F2-B	Disponibile2.772
DSK9J01P0L Panasonic Electronic Components	Transistor - JFET JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 30mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 10µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 125mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490 Pacchetto dispositivo fornitore: SSMini3-F3-B	Disponibile48.798
EC3A03B-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW ECSP1006-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.5V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1.7pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 3-ECSP1006	Disponibile8.136
EC3A04B-3-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 180mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 200 Ohms Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 3-ECSP1006	Disponibile2.556
FJN598JABU ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.15W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.070
FJN598JATA ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.15W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.114
FJN598JBBU ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.15W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.020
FJN598JBTA ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.15W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.166
FJN598JCBU ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.15W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.758
FJN598JCTA ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 20V 0.15W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 20V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.310

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