PMBFJ110,215
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| Numero parte | PMBFJ110,215 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | PMBFJ110-215 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | JFET N-CH 25V 250MW SOT23 | ||||||||||||||||||
| Produttore | NXP | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 49.990 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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PMBFJ110 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PMBFJ110,215 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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PMBFJ110 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 25V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 10mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 4V @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 10V (VGS) |
| Resistenza - RDS (On) | 18 Ohms |
| Potenza - Max | 250mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 (TO-236AB) |
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Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On) 40 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-18 |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 20V Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 300mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 8V @ 10µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 10V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 360mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 140µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 100mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore 3-VTFP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 135°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500 Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 25mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 6V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 27pF @ 15V Resistenza - RDS (On) 100 Ohms Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-18 (TO-206AA) |
