Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
RGTV00TK65GVC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 45A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Potenza - Max: 94W Switching Energy: 1.17mJ (on), 940µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 104nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 41ns/142ns Condizione di test: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM	Disponibile10.524
RGTV00TS65DGC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 95A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Potenza - Max: 276W Switching Energy: 1.17mJ (on), 940µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 104nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 41ns/142ns Condizione di test: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 102ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile9.672
RGTV00TS65GC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 95A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Potenza - Max: 276W Switching Energy: 1.17mJ (on), 940µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 104nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 41ns/142ns Condizione di test: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile9.648
RGTV60TK65DGVC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 33A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Potenza - Max: 76W Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 64nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 33ns/105ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 95ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM	Disponibile7.860
RGTV60TK65GVC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 33A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Potenza - Max: 76W Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 64nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 33ns/105ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM	Disponibile11.352
RGTV60TS65DGC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Potenza - Max: 194W Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 64nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 33ns/105ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 95ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile10.632
RGTV60TS65GC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Potenza - Max: 194W Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 64nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 33ns/105ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile7.992
RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 144A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 320A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A Potenza - Max: 404W Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 171nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 45ns/201ns Condizione di test: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 109ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile2.808
RGTVX6TS65GC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 144A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 320A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A Potenza - Max: 404W Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 171nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 45ns/201ns Condizione di test: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile8.088
RGW00TK65DGVC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 45A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Potenza - Max: 89W Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 141nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 52ns/180ns Condizione di test: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 95ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM	Disponibile11.112
RGW00TK65GVC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 45A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Potenza - Max: 89W Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 141nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 52ns/180ns Condizione di test: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM	Disponibile8.268
RGW00TS65DGC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 96A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Potenza - Max: 254W Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 141nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 52ns/180ns Condizione di test: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 95ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile9.132
RGW00TS65GC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 96A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Potenza - Max: 254W Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 141nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 52ns/180ns Condizione di test: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile10.596
RGW60TK65DGVC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 33A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Potenza - Max: 72W Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 84nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 37ns/114ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 92ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM	Disponibile10.188
RGW60TK65GVC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 33A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Potenza - Max: 72W Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 84nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 37ns/114ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM	Disponibile7.980
RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Potenza - Max: 178W Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 84nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 37ns/114ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 92ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile10.968
RGW60TS65GC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Potenza - Max: 178W Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 84nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 37ns/114ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile9.252
RGW80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 39A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Potenza - Max: 81W Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 110nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 44ns/143ns Condizione di test: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 92ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM	Disponibile9.792
RGW80TK65GVC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 39A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Potenza - Max: 81W Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 110nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 44ns/143ns Condizione di test: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM	Disponibile10.332
RGW80TS65DGC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 78A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Potenza - Max: 214W Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 110nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 44ns/143ns Condizione di test: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 92ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile8.412
RGW80TS65GC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 78A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Potenza - Max: 214W Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 110nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 44ns/143ns Condizione di test: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile10.824
RJH1BF6RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1100V 55A 227.2W TO247 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1100V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 55A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A Potenza - Max: 227.2W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile4.878
RJH1BF7RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1100V 60A 250W TO247 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1100V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 60A Potenza - Max: 250W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile6.150
RJH1BG7RDPK-00#T0 Renesas Electronics America	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1100V 60A 250W TO247 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.064
RJH1CF4RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 40A 156.2W TO247 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Potenza - Max: 156.2W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile5.994
RJH1CF5RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 50A 192.3W TO247 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Potenza - Max: 192.3W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile7.044
RJH1CF6RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 55A 227.2W TO247 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 55A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Potenza - Max: 227.2W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile5.256
RJH1CF7RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 60A 250W TO247 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A Potenza - Max: 250W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile4.140
RJH1CM5DPQ-E0#T2 Renesas Electronics America	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 30A 245W TO247 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A Potenza - Max: 245W Switching Energy: 1.6mJ (on), 700µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 74nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 40ns/100ns Condizione di test: 600V, 15A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 200ns Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile6.192
RJH1CV5DPK-00#T0 Renesas Electronics America	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 50A 245W TO-3P Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Potenza - Max: 245W Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.5mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 72nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 42ns/105ns Condizione di test: 600V, 25A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 170ns Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P	Disponibile3.672

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