Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 2112/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
NGTD21T65F2SWK ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 45A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile5.688
NGTD21T65F2WP ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 45A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile2.646
NGTD23T120F2SWK ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile8.604
NGTD23T120F2WP ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile5.868
NGTD28T65F2SWK ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile3.672
NGTD28T65F2WP ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile6.696
NGTD30T120F2SWK ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile4.194
NGTD30T120F2WP ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile4.626
NGTG12N60TF1G ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 24A 54W TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 24A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 88A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 12A Potenza - Max: 54W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 84nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 55ns/200ns Condizione di test: 300V, 15A, 30Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.488
NGTG15N120FL2WG ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 15A TO-247 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Potenza - Max: 294W Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 109nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 64ns/128ns Condizione di test: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile3.816
NGTG15N60S1EG ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 30A 117W TO220-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A Potenza - Max: 117W Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 88nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 65ns/170ns Condizione di test: 400V, 15A, 22Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220	Disponibile19.746
NGTG20N60L2TF1G ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 40A 64W TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A Potenza - Max: 64W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 84nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 60ns/193ns Condizione di test: 300V, 20A, 30Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.404
NGTG25N120FL2WG ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 25A TO-247 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Potenza - Max: 385W Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 178nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 87ns/179ns Condizione di test: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile5.544
NGTG30N60FLWG ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 60A 250W TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 700µJ (on), 280µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 170nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 83ns/170ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile3.528
NGTG30N60FWG ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 60A 167W TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Potenza - Max: 167W Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 170nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 81ns/190ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile4.698
NGTG35N65FL2WG ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V 60A 167W TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Potenza - Max: 300W Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 125nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 72ns/132ns Condizione di test: 400V, 35A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile6.426
NGTG40N120FL2WG ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 40A TO-247 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Potenza - Max: 535W Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 313nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 116ns/286ns Condizione di test: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile6.174
NGTG50N60FLWG ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 50A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Potenza - Max: 223W Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 310nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 116ns/292ns Condizione di test: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile3.564
NGTG50N60FWG ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 100A 223W TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Potenza - Max: 223W Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 310nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 117ns/285ns Condizione di test: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile7.056
RGC80TSX8RGC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1800V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 40A Potenza - Max: 535W Switching Energy: 1.85mJ (on), 1.6mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 468nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 80ns/565ns Condizione di test: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile7.056
RGCL60TK60DGC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Potenza - Max: 54W Switching Energy: 770µJ (on), 1.11mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 68nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 44ns/186ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 58ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM	Disponibile8.412
RGCL60TK60GC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Potenza - Max: 54W Switching Energy: 770µJ (on), 1.11mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 68nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 44ns/186ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM	Disponibile8.298
RGCL60TS60DGC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 48A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Potenza - Max: 111W Switching Energy: 770µJ (on), 1.11mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 68nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 44ns/186ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 58ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile8.928
RGCL60TS60GC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 48A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Potenza - Max: 111W Switching Energy: 770µJ (on), 1.11mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 68nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 44ns/186ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile8.880
RGCL80TK60DGC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Potenza - Max: 57W Switching Energy: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 98nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 53ns/227ns Condizione di test: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 58ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM	Disponibile8.592
RGCL80TK60GC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Potenza - Max: 57W Switching Energy: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 98nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 53ns/227ns Condizione di test: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM	Disponibile9.552
RGCL80TS60DGC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 65A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Potenza - Max: 148W Switching Energy: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 98nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 53ns/227ns Condizione di test: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 58ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile10.248
RGCL80TS60GC11 Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 65A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Potenza - Max: 148W Switching Energy: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 98nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 53ns/227ns Condizione di test: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N	Disponibile8.460
RGPR10BM40FHTL Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 460V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A Potenza - Max: 107W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 14nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 500ns/4µs Condizione di test: 300V, 8A, 100Ohm, 5V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 75°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252	Disponibile21.348
RGPR20NS43HRTL Rohm Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 430V 20A IGNITION IGBT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 460V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A Potenza - Max: 107W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 14nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 500ns/4µs Condizione di test: 300V, 8A, 100Ohm, 5V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: LPDS	Disponibile5.094

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