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RGTV00TS65GC11

RGTV00TS65GC11

Solo per riferimento

Numero parte RGTV00TS65GC11
PNEDA Part # RGTV00TS65GC11
Descrizione 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 9.648
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RGTV00TS65GC11 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRGTV00TS65GC11
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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RGTV00TS65GC11 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)95A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 50A
Potenza - Max276W
Switching Energy1.17mJ (on), 940µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge104nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C41ns/142ns
Condizione di test400V, 50A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247N

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 25A

Potenza - Max

305W

Switching Energy

1.6mJ (on), 1.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

240nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/245ns

Condizione di test

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

80ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

APT54GA60B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

96A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

161A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

Potenza - Max

416W

Switching Energy

534µJ (on), 466µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

158nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/112ns

Condizione di test

400V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.2V @ 15V, 75A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

75nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PLUS-220SMD

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS-220SMD

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

330V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.55V @ 15V, 28A

Potenza - Max

43W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

86nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

39ns/120ns

Condizione di test

196V, 25A, 10Ohm

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

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Tipo di ingresso

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Gate Charge

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/220ns

Condizione di test

400V, 6A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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