RJH1BF6RDPQ-80#T2
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| Numero parte | RJH1BF6RDPQ-80#T2 |
| PNEDA Part # | RJH1BF6RDPQ-80-T2 |
| Descrizione | IGBT 1100V 55A 227.2W TO247 |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.878 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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RJH1BF6RDPQ-80#T2 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RJH1BF6RDPQ-80#T2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
RJH1BF6RDPQ-80#T2, RJH1BF6RDPQ-80#T2 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 100,56 KB)
  
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RJH1BF6RDPQ-80#T2 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1100V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 55A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 55A |
| Potenza - Max | 227.2W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
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