FGD3245G2-F085C
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| Numero parte | FGD3245G2-F085C |
| PNEDA Part # | FGD3245G2-F085C |
| Descrizione | ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.362 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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FGD3245G2-F085C Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FGD3245G2-F085C |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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FGD3245G2-F085C Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 450V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 23A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.25V @ 4V, 6A |
| Potenza - Max | 150W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Logic |
| Gate Charge | 23nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 0.9µs/5.4µs |
| Condizione di test | 300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252) |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 23A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Potenza - Max 100W Switching Energy 160µJ (on), 200µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 50nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 17ns/78ns Condizione di test 480V, 12A, 23Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge 230nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 40ns/240ns Condizione di test 600V, 40A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 143A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 47A Potenza - Max 625W Switching Energy 840µJ (on), 751µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 230nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 23ns/158ns Condizione di test 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 22ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-264 |
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