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IRG8CH42K10F

IRG8CH42K10F

Solo per riferimento

Numero parte IRG8CH42K10F
PNEDA Part # IRG8CH42K10F
Descrizione IGBT 1200V 40A DIE
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.212
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG8CH42K10F Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG8CH42K10F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IRG8CH42K10F, IRG8CH42K10F Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 195,1 KB)
PDFIRG8CH42K10F Datasheet Copertura
IRG8CH42K10F Datasheet Pagina 2 IRG8CH42K10F Datasheet Pagina 3 IRG8CH42K10F Datasheet Pagina 4

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IRG8CH42K10F Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 40A
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge230nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C40ns/240ns
Condizione di test600V, 40A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

85A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

277W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

94nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

42ns/137ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

54ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

170A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 24A

Potenza - Max

190W

Switching Energy

700µJ (on), 2.4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

66nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/300ns

Condizione di test

480V, 24A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

26ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

NGTB30N120FL2WG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Potenza - Max

452W

Switching Energy

2.6mJ (on), 700µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

220nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

98ns/210ns

Condizione di test

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

240ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

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