Transistor

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Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
LPT16ED Skyworks Solutions	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 4V 16GHZ DIE Produttore: Skyworks Solutions Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 4V Frequenza - Transizione: 16GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 5.2dB Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 2V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile5.418
LZ1418E100R,114 Ampleon	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 1.6GHZ CDFM2 Produttore: Ampleon USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 1.6GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 45W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-443A Pacchetto dispositivo fornitore: CDFM2	Disponibile6.678
MAPR-000912-500S00 M/A-Com Technology Solutions	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 80V Produttore: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 80V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 9.44dB ~ 9.77dB Potenza - Max: 500W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): 52.5A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.254
MAPR-002729-170M00 M/A-Com Technology Solutions	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V Produttore: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 9.11dB ~ 9.69dB Potenza - Max: 170W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): 27A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.300
MAPR-002731-115M00 M/A-Com Technology Solutions	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V Produttore: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8.06dB ~ 8.45dB Potenza - Max: 115W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.246
MAPRST0912-350 M/A-Com Technology Solutions	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ Produttore: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 1.215GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 9.4dB Potenza - Max: 350W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): 32.5A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.672
MAPRST0912-50 M/A-Com Technology Solutions	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V Produttore: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 10.16dB ~ 10.25dB Potenza - Max: 50W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): 5.3A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.232
MAX2601ESA Maxim Integrated	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Produttore: Maxim Integrated Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Guadagno: 11.6dB Potenza - Max: 6.4W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1.2A Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC-EP	Disponibile7.146
MAX2601ESA+ Maxim Integrated	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Produttore: Maxim Integrated Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Guadagno: 11.6dB Potenza - Max: 6.4W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1.2A Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC-EP	Disponibile8.100
MAX2601ESA-T Maxim Integrated	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Produttore: Maxim Integrated Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Guadagno: 11.6dB Potenza - Max: 6.4W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1.2A Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC-EP	Disponibile8.640
MAX2601ESA+T Maxim Integrated	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Produttore: Maxim Integrated Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Guadagno: 11.6dB Potenza - Max: 6.4W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1.2A Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC-EP	Disponibile4.698
MAX2602ESA Maxim Integrated	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Produttore: Maxim Integrated Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Guadagno: 11.6dB Potenza - Max: 6.4W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1.2A Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC-EP	Disponibile7.704
MAX2602ESA+ Maxim Integrated	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Produttore: Maxim Integrated Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Guadagno: 11.6dB Potenza - Max: 6.4W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1.2A Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC-EP	Disponibile6.708
MAX2602ESA-T Maxim Integrated	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Produttore: Maxim Integrated Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Guadagno: 11.6dB Potenza - Max: 6.4W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1.2A Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC-EP	Disponibile6.318
MAX2602ESA+T Maxim Integrated	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Produttore: Maxim Integrated Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Guadagno: 11.6dB Potenza - Max: 6.4W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1.2A Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC-EP	Disponibile8.046
MBC13900NT1 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 6.5V 15GHZ SOT343 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 6.5V Frequenza - Transizione: 15GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz Guadagno: 15dB ~ 22dB Potenza - Max: 188mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 2V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-82A, SOT-343 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-343	Disponibile5.670
MBC13900T1 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 6.5V 15GHZ SOT343 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 6.5V Frequenza - Transizione: 15GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz Guadagno: 15dB ~ 22dB Potenza - Max: 188mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 2V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-82A, SOT-343 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-343	Disponibile3.816
MC1331 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.832
MC1331-2 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.160
MC1331-3 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.610
MCH3007-TL-H ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Guadagno: 12dB Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-MCPH	Disponibile5.220
MCH4009-TL-H ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ 4MCPH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 3.5V Frequenza - Transizione: 25GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz Guadagno: 13.5dB Potenza - Max: 120mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-343F Pacchetto dispositivo fornitore: 4-MCPH	Disponibile83.562
MCH4013-TL-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 3.5V 22.5GHZ 4MCPH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 3.5V Frequenza - Transizione: 22.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz Guadagno: 16dB Potenza - Max: 50mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 15mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-343F Pacchetto dispositivo fornitore: 4-MCPH	Disponibile5.940
MCH4014-TL-H ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 10GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Guadagno: 18dB Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-343F Pacchetto dispositivo fornitore: 4-MCPH	Disponibile7.182
MCH4015-TL-H ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 10GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Guadagno: 17dB Potenza - Max: 450mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-343F Pacchetto dispositivo fornitore: 4-MCPH	Disponibile28.314
MCH4016-TL-H ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 10GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Guadagno: 18dB Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-343F Pacchetto dispositivo fornitore: 4-MCPH	Disponibile7.866
MCH4017-TL-H ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 10GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Guadagno: 17dB Potenza - Max: 450mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-343F Pacchetto dispositivo fornitore: 4-MCPH	Disponibile8.208
MCH4020-TL-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 8V Frequenza - Transizione: 16GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Guadagno: 17.5dB Potenza - Max: 400mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-343F Pacchetto dispositivo fornitore: 4-MCPH	Disponibile4.284
MCH4020-TL-H ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 8V Frequenza - Transizione: 16GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Guadagno: 17.5dB @ 1GHz Potenza - Max: 400mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-343F Pacchetto dispositivo fornitore: 4-MCPH	Disponibile45.612
MCH4021-TL-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 8V Frequenza - Transizione: 16GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Guadagno: 17.5dB Potenza - Max: 400mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 4-MCPH	Disponibile8.280

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