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MBC13900T1

MBC13900T1

Solo per riferimento

Numero parte MBC13900T1
PNEDA Part # MBC13900T1
Descrizione RF TRANS NPN 6.5V 15GHZ SOT343
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.816
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 15 - nov 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBC13900T1 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBC13900T1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MBC13900T1, MBC13900T1 Datasheet (Totale pagine: 24, Dimensioni: 799,06 KB)
PDFMBC13900NT1 Datasheet Copertura
MBC13900NT1 Datasheet Pagina 2 MBC13900NT1 Datasheet Pagina 3 MBC13900NT1 Datasheet Pagina 4 MBC13900NT1 Datasheet Pagina 5 MBC13900NT1 Datasheet Pagina 6 MBC13900NT1 Datasheet Pagina 7 MBC13900NT1 Datasheet Pagina 8 MBC13900NT1 Datasheet Pagina 9 MBC13900NT1 Datasheet Pagina 10 MBC13900NT1 Datasheet Pagina 11

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MBC13900T1 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)6.5V
Frequenza - Transizione15GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz
Guadagno15dB ~ 22dB
Potenza - Max188mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)20mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-343

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

13dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143

AT-41535G

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Guadagno

10dB ~ 18dB

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD (35 micro-X)

Pacchetto dispositivo fornitore

35 micro-X

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

20GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.5dB

Potenza - Max

735mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 100mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343F

MS2348

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MRF5812G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

Guadagno

13dB ~ 15.5dB

Potenza - Max

1.25W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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