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MAPRST0912-50

MAPRST0912-50

Solo per riferimento

Numero parte MAPRST0912-50
PNEDA Part # MAPRST0912-50
Descrizione RF TRANS NPN 65V
Produttore M/A-Com Technology Solutions
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.232
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MAPRST0912-50 Risorse

Brand M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMAPRST0912-50
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MAPRST0912-50, MAPRST0912-50 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 668,58 KB)
PDFMAPRST0912-50 Datasheet Copertura
MAPRST0912-50 Datasheet Pagina 2 MAPRST0912-50 Datasheet Pagina 3 MAPRST0912-50 Datasheet Pagina 4 MAPRST0912-50 Datasheet Pagina 5

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MAPRST0912-50 Specifiche

ProduttoreM/A-Com Technology Solutions
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)65V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno10.16dB ~ 10.25dB
Potenza - Max50W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)5.3A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

500MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

MT3S113P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.3V

Frequenza - Transizione

7.7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

Guadagno

10.5dB

Potenza - Max

1.6W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PW-MINI

BFR193E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

10dB ~ 15dB

Potenza - Max

580mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.5V

Frequenza - Transizione

21GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz

Guadagno

16dB

Potenza - Max

360mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 80mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

CMPAK-4

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

10dB ~ 14dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

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