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Pagina 129/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
JAN2N2857 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/343 Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 500MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Guadagno: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-72-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72	Disponibile3.420
JAN2N2857UB Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Guadagno: 21dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: UB	Disponibile6.282
JAN2N4957 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Guadagno: 25dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-72-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72	Disponibile8.910
JAN2N4957UB Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Guadagno: 25dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: UB	Disponibile3.726
JANS2N2857UB-LC Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V UB Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/343 Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Guadagno: 21dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: UB	Disponibile6.408
JANTX2N2857 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/343 Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 500MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Guadagno: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-72-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72	Disponibile8.172
JANTX2N2857UB Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Guadagno: 21dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: UB	Disponibile5.184
JANTX2N4957 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Guadagno: 25dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-72-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72	Disponibile2.088
JANTX2N4957UB Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Guadagno: 25dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: UB	Disponibile3.330
JANTXV2N2857 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/343 Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 500MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Guadagno: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-72-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72	Disponibile6.624
JANTXV2N2857UB Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Guadagno: 21dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: UB	Disponibile3.454
JANTXV2N4957 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Guadagno: 25dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-72-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72	Disponibile6.606
JANTXV2N4957UB Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Guadagno: 25dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: UB	Disponibile5.544
JTDB25 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 55V Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7.5dB Potenza - Max: 97W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 5A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55AW-1 Pacchetto dispositivo fornitore: 55AW-1	Disponibile8.478
JTDB75 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 55V Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB ~ 8.2dB Potenza - Max: 220W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 8A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55AW Pacchetto dispositivo fornitore: 55AW	Disponibile5.382
KSC1393OBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: 700MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz Guadagno: 20dB ~ 24dB Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.938
KSC1393OTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: 700MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz Guadagno: 20dB ~ 24dB Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.142
KSC1393RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: 700MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz Guadagno: 20dB ~ 24dB Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.004
KSC1393RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: 700MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz Guadagno: 20dB ~ 24dB Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.842
KSC1393YBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: 700MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz Guadagno: 20dB ~ 24dB Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.634
KSC1393YTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: 700MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz Guadagno: 20dB ~ 24dB Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.560
KSC1674COBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 600MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Guadagno: - Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.172
KSC1674COTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 600MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Guadagno: - Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.496
KSC1674CYBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 600MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Guadagno: - Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile6.084
KSC1674CYTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 600MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Guadagno: - Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.834
KSC1674OBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 600MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Guadagno: - Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.006
KSC1674OTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 600MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Guadagno: - Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.428
KSC1674RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 600MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Guadagno: - Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.202
KSC1674RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 600MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Guadagno: - Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.996
KSC1674YBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 600MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Guadagno: - Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile71.820

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