Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
71V65603S100BQ IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile3.708
71V65603S100BQG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile4.896
71V65603S100BQG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile6.426
71V65603S100BQGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile8.298
71V65603S100BQGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile7.614
71V65603S100BQI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile2.520
71V65603S100PFG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile10.248
71V65603S100PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile8.100
71V65603S100PFGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile7.164
71V65603S100PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile2.592
71V65603S133BG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile7.110
71V65603S133BG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile4.644
71V65603S133BGG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile5.940
71V65603S133BGG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile2.844
71V65603S133BGGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile5.544
71V65603S133BGGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile2.628
71V65603S133BGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile3.654
71V65603S133BGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile8.352
71V65603S133BQ IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile3.654
71V65603S133BQG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile2.448
71V65603S133BQG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile4.572
71V65603S133BQGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile8.388
71V65603S133BQGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile4.824
71V65603S133BQI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)	Disponibile7.326
71V65603S133PFG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile8.964
71V65603S133PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile2.016
71V65603S133PFGI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP	Disponibile8.820
71V65603S133PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.2ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP	Disponibile2.898
71V65603S150BG IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 150MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile8.928
71V65603S150BG8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 150MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile2.412

71V65603S100BQ

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile3.708

71V65603S100BQG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile4.896

71V65603S100BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile6.426

71V65603S100BQGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile8.298

71V65603S100BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile7.614

71V65603S100BQI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile2.520

71V65603S100PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile10.248

71V65603S100PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile8.100

71V65603S100PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile7.164

71V65603S100PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile2.592

71V65603S133BG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile7.110

71V65603S133BG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile4.644

71V65603S133BGG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile5.940

71V65603S133BGG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile2.844

71V65603S133BGGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile5.544

71V65603S133BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile2.628

71V65603S133BGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile3.654

71V65603S133BGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile8.352

71V65603S133BQ

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile3.654

71V65603S133BQG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile2.448

71V65603S133BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile4.572

71V65603S133BQGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile8.388

71V65603S133BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile4.824

71V65603S133BQI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)

Disponibile7.326

71V65603S133PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile8.964

71V65603S133PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile2.016

71V65603S133PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP

Disponibile8.820

71V65603S133PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.2ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP

Disponibile2.898

71V65603S150BG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 150MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile8.928

71V65603S150BG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 150MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile2.412

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