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Circuiti integrati di memoria

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Disponibile
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71V65703S80BGG
71V65703S80BGG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile7.452
71V65703S80BGG8
71V65703S80BGG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile2.934
71V65703S80BQ
71V65703S80BQ

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile7.146
71V65703S80BQ8
71V65703S80BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile2.394
71V65703S80BQG
71V65703S80BQG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile3.150
71V65703S80BQG8
71V65703S80BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile6.714
71V65703S80BQGI
71V65703S80BQGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile5.202
71V65703S80BQGI8
71V65703S80BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile4.374
71V65703S80BQI
71V65703S80BQI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile5.958
71V65703S80BQI8
71V65703S80BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile7.056
71V65703S80PFG
71V65703S80PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile3.456
71V65703S80PFG8
71V65703S80PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile5.382
71V65703S80PFGI
71V65703S80PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile4.140
71V65703S80PFGI8
71V65703S80PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile5.760
71V65703S85BG
71V65703S85BG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile7.812
71V65703S85BG8
71V65703S85BG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile8.856
71V65703S85BGG
71V65703S85BGG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile7.848
71V65703S85BGG8
71V65703S85BGG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile3.384
71V65703S85BGGI
71V65703S85BGGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile8.874
71V65703S85BGGI8
71V65703S85BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile8.190
71V65703S85BGI
71V65703S85BGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile6.174
71V65703S85BGI8
71V65703S85BGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile3.978
71V65703S85BQ
71V65703S85BQ

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile2.880
71V65703S85BQ8
71V65703S85BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile2.100
71V65703S85BQG
71V65703S85BQG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile2.466
71V65703S85BQG8
71V65703S85BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile7.668
71V65703S85BQGI
71V65703S85BQGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile4.158
71V65703S85BQGI8
71V65703S85BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile4.518
71V65703S85BQI
71V65703S85BQI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile6.912
71V65703S85BQI8
71V65703S85BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-CABGA (13x15)
Disponibile4.662