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71V546S133PFG
71V546S133PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 4.2ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile8.532
71V546S133PFG8
71V546S133PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 4.2ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile2.502
71V546S133PFGI
71V546S133PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 4.2ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile7.254
71V546S133PFGI8
71V546S133PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 4.2ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile7.722
71V547S100PFG
71V547S100PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile6.246
71V547S100PFG8
71V547S100PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile8.064
71V547S100PFGI
71V547S100PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile7.272
71V547S100PFGI8
71V547S100PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile8.118
71V547S75PFG
71V547S75PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 7.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile4.194
71V547S75PFG8
71V547S75PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 7.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile2.016
71V547S80PFG
71V547S80PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile6.084
71V547S80PFG8
71V547S80PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile3.546
71V547S80PFGI
71V547S80PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile6.894
71V547S80PFGI8
71V547S80PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 8ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile4.968
71V632S5PFG
71V632S5PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile3.906
71V632S5PFG8
71V632S5PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile7.902
71V632S5PFGI
71V632S5PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile2.340
71V632S5PFGI8
71V632S5PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile4.104
71V632S6PFG
71V632S6PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 83MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile4.968
71V632S6PFG8
71V632S6PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 83MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile4.014
71V632S6PFGI
71V632S6PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 83MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile5.076
71V632S6PFGI8
71V632S6PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 83MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile5.382
71V632S7PFG
71V632S7PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 66MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile7.542
71V632S7PFG8
71V632S7PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 66MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile6.498
71V632S7PFGI
71V632S7PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 66MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile7.434
71V632S7PFGI8
71V632S7PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 66MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile6.768
71V65603S100BG
71V65603S100BG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile8.856
71V65603S100BG8
71V65603S100BG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile8.046
71V65603S100BGI
71V65603S100BGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile7.254
71V65603S100BGI8
71V65603S100BGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile3.222