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Disponibile
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71V424S10YGI
71V424S10YGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ
Disponibile8.730
71V424S10YGI8
71V424S10YGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ
Disponibile3.474
71V424S12PHG
71V424S12PHG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile7.686
71V424S12PHG8
71V424S12PHG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile2.052
71V424S12PHGI
71V424S12PHGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile34.884
71V424S12PHGI8
71V424S12PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile5.868
71V424S12YG
71V424S12YG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ
Disponibile4.716
71V424S12YG8
71V424S12YG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ
Disponibile5.598
71V424S12YGI
71V424S12YGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ
Disponibile7.866
71V424S12YGI8
71V424S12YGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ
Disponibile8.190
71V424S15PHG
71V424S15PHG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile5.040
71V424S15PHG8
71V424S15PHG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile5.688
71V424S15PHGI
71V424S15PHGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile7.830
71V424S15PHGI8
71V424S15PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile5.724
71V424S15YG
71V424S15YG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ
Disponibile26.418
71V424S15YG8
71V424S15YG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ
Disponibile4.248
71V424S15YGI
71V424S15YGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ
Disponibile18.000
71V424S15YGI8
71V424S15YGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ
Disponibile3.456
71V432S5PFG
71V432S5PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (32K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile4.410
71V432S5PFG8
71V432S5PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (32K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile7.704
71V432S5PFGI
71V432S5PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (32K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile4.356
71V432S5PFGI8
71V432S5PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (32K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile5.058
71V432S6PFG
71V432S6PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (32K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 83MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile3.870
71V432S6PFG8
71V432S6PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (32K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 83MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)
Disponibile3.222
71V432S6PFGI
71V432S6PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (32K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 83MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP
Disponibile2.286
71V432S6PFGI8
71V432S6PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (32K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 83MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.63V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP
Disponibile3.510
71V546S100PFG
71V546S100PFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile6.252
71V546S100PFG8
71V546S100PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile6.966
71V546S100PFGI
71V546S100PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile8.892
71V546S100PFGI8
71V546S100PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile7.344