Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MT48LC8M32B2F5-7 IT Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile2.322
MT48LC8M32B2F5-7 IT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile5.472
MT48LC8M32B2F5-7 TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile3.492
MT48LC8M32B2P-6 TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile8.838
MT48LC8M32B2P-7 IT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile6.786
MT48LC8M32B2P-7 TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile6.732
MT48LC8M32B2TG-6 TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile7.362
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile3.852
MT48LC8M32B2TG-7 TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile7.704
MT48LC8M32LFB5-10 Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile6.588
MT48LC8M32LFB5-10 IT Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile4.734
MT48LC8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile3.150
MT48LC8M32LFB5-10 TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile8.064
MT48LC8M32LFB5-8 IT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile8.694
MT48LC8M32LFB5-8 TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile6.480
MT48LC8M32LFF5-10 Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile8.226
MT48LC8M32LFF5-10 IT Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile4.140
MT48LC8M32LFF5-10 IT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile2.754
MT48LC8M32LFF5-10 TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile7.182
MT48LC8M32LFF5-8 Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile8.712
MT48LC8M32LFF5-8 IT Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile7.002
MT48LC8M32LFF5-8 IT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile2.844
MT48LC8M32LFF5-8 TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile4.086
MT48LC8M8A2P-6A:J Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile3.492
MT48LC8M8A2P-6A:J TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile3.150
MT48LC8M8A2P-75:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile4.049
MT48LC8M8A2P-75:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile7.416
MT48LC8M8A2P-75 IT:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile7.560
MT48LC8M8A2P-75 IT:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile8.442
MT48LC8M8A2P-75 L:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile8.190

MT48LC8M32B2F5-7 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile2.322

MT48LC8M32B2F5-7 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile5.472

MT48LC8M32B2F5-7 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile3.492

MT48LC8M32B2P-6 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile8.838

MT48LC8M32B2P-7 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile6.786

MT48LC8M32B2P-7 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile6.732

MT48LC8M32B2TG-6 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile7.362

MT48LC8M32B2TG-7 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile3.852

MT48LC8M32B2TG-7 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile7.704

MT48LC8M32LFB5-10

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile6.588

MT48LC8M32LFB5-10 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile4.734

MT48LC8M32LFB5-10 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile3.150

MT48LC8M32LFB5-10 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile8.064

MT48LC8M32LFB5-8 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 125MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile8.694

MT48LC8M32LFB5-8 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 125MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile6.480

MT48LC8M32LFF5-10

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile8.226

MT48LC8M32LFF5-10 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile4.140

MT48LC8M32LFF5-10 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile2.754

MT48LC8M32LFF5-10 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile7.182

MT48LC8M32LFF5-8

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 125MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile8.712

MT48LC8M32LFF5-8 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 125MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile7.002

MT48LC8M32LFF5-8 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 125MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile2.844

MT48LC8M32LFF5-8 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 125MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile4.086

MT48LC8M8A2P-6A:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile3.492

MT48LC8M8A2P-6A:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile3.150

MT48LC8M8A2P-75:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile4.049

MT48LC8M8A2P-75:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile7.416

MT48LC8M8A2P-75 IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile7.560

MT48LC8M8A2P-75 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile8.442

MT48LC8M8A2P-75 L:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile8.190

Send Message

Certifications

Circuiti integrati di memoria

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message