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MT48LC8M32LFF5-8

MT48LC8M32LFF5-8

Solo per riferimento

Numero parte MT48LC8M32LFF5-8
PNEDA Part # MT48LC8M32LFF5-8
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.712
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT48LC8M32LFF5-8 Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT48LC8M32LFF5-8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT48LC8M32LFF5-8, MT48LC8M32LFF5-8 Datasheet (Totale pagine: 75, Dimensioni: 2.072,44 KB)
PDFMT48LC8M32LFF5-8 TR Datasheet Copertura
MT48LC8M32LFF5-8 TR Datasheet Pagina 2 MT48LC8M32LFF5-8 TR Datasheet Pagina 3 MT48LC8M32LFF5-8 TR Datasheet Pagina 4 MT48LC8M32LFF5-8 TR Datasheet Pagina 5 MT48LC8M32LFF5-8 TR Datasheet Pagina 6 MT48LC8M32LFF5-8 TR Datasheet Pagina 7 MT48LC8M32LFF5-8 TR Datasheet Pagina 8 MT48LC8M32LFF5-8 TR Datasheet Pagina 9 MT48LC8M32LFF5-8 TR Datasheet Pagina 10 MT48LC8M32LFF5-8 TR Datasheet Pagina 11

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MT48LC8M32LFF5-8 Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock125MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso7ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore90-VFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-TFBGA (13x15)

IS42VM16800G-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

CY14B256KA-SP45XIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-SSOP

S25FL256SAGBHIS00

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-BGA (8x6)

CY7C1472BV25-200BZIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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